国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出了新一代绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术平台。
新一代第八代（Gen8）1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟槽栅极场截止技术，可为工业和节能应用提供出色的性能。
新的Gen8设计允许顶部Vce（on）降低功耗，增加功率密度并提供卓越的耐用性。
IR亚太地区销售副总裁潘大为表示：“ IR数十年来通过开发新的基准技术和一流的IGBT硅平台，显示了我们致力于改善电力电子技术的决心。
我们希望为所有电动机提供100％的变频，以更有效地利用电力并实现绿色环保。
＆amp; rdquo;这项新技术为电机驱动应用提供了更好的软关断功能，有助于最小化dv / dt，从而减少了电磁干扰和过电压，从而提高了可靠性和耐用性。
该平台的参数分布较窄。
在大电流电源模块中并联连接多个IGBT时，可以带来良好的电流分配。
薄晶圆技术提高了热阻，并达到了175°C的最高结温。
潘大为表示：“ IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越的技术。
IGBT平台凭借其一流的Vce（导通），出色的耐用性和一流的开关功能解决了工业市场面临的艰巨问题。
＆amp; rdquo; IR Gen8 1200V IGBT平台样品现已提供给主要的原始设备制造商（OEM）和原始设计制造商（ODM）合作伙伴。