第一点接触晶体管诞生于1947.12.23 - 贝尔实验室。
（Bardeen，Shockley，Brattain）1949年，提出了PN结和双极结晶体管的理论 - 贝尔实验室。
（Shockley）第一个结是在1951年制造的。
晶体管 - 贝尔实验室。
（Shockley）1956年，第一个硅结晶体管被制造出来 - 美的仪器（TI）Bardeen，肖克利和Brattain于1956年获得诺贝尔奖。
第一个结是1956年在中国制造的。
晶体管 - （吉林大学高丁山） 1970年，硅平面工艺成熟，双极结型晶体管批量生产双极结晶体管（BJT）具有各种类型。
根据频率，根据功率，有高频管，低频管。
有小型，中型和大型功率管。
根据半导体材料，有硅管和歧管。
放大的电路形式是：共发射极，公共基极和共集电极放大器电路。
双极结型晶体管的外极吸引三极：集电极，发射极和基极，集电极从集电极取出，发射极从发射极取出，基极从基极取出（基地在中间）; BJT它具有放大效应，重要的是依靠其发射极电流通过基极区域传输到集电极区域。
为了确保该透射过程，一方面必须满足内部条件，即，要求发射极区域的杂质浓度远大于基极区域的杂质浓度。
另一方面，浓度虽然基区的厚度小，但为了满足外部条件，即发射极结应正向偏置（正向正向电压），并且集电极结应反向偏置。
1.发射极结正偏置，集电极结反向偏置，胶扩增区或前向有源区。
2.发射极结正偏置，集电极结正偏置，称为饱和区。
3.发射极结反转，集电极结反转，胶水被切断。
4.发射极结被反向偏置，集电极结被正偏置，胶被反转或使用反向有源区。
一种双极结型晶体管器件，其中p型阱区围绕n型发射极区并且耦合到发射极底部以用作基极区。
p型基极拾取区域连接到p型基极并围绕发射极区域。
n型深阱区连接到基极区的底部和n型阱区的底部，用作集电极区。
n型阱区围绕基极区并连接到n型深阱区。
n型集电极拾取区域连接到n型阱区域并围绕基极区域。
隔离结构位于发射极区和基极区之间以及基极区的一部分和n型阱区的一部分之间。
缓冲区位于隔离结构的一部分下方，并且与部分隔离结构分离以打开p型基区和n型阱区。