分立组件

• 金属氧化物半导体场效应晶体管
  Diodes 公司的 MOSFET 产品组合，阵容完整而多元，确保设计人员得以根据其终端应用，选择出最适合的装置。

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• MOSFET 产品主表
• MOSFET 加 SBR
• MOSFET 加 BJT
• IntelliFET
  Diodes 公司的低侧 intelliFET 自我防护型 MOSFET，非常适合在严苛的环境内使用。

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• H 桥 MOSFET
  Diodes 公司的 MOSFET H 桥系列产品，采用了优化的直流 (DC) 马达控制与反相电路设计。

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• DIOFET (Diodes 萧特基整合式 MOSFET)
  DIOFET 为本公司专有制程，将功率 MOSFET 和萧特基 (Schottky) 二极管整合至单一硅芯片。

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• 双极晶体管
  Diodes 完全满足您的双极晶体管应用需求。

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• 晶体管 (BJT) 产品主表
• 特殊功能晶体管
• 预置偏压晶体管
• 达灵顿晶体管
  Diodes 的达灵顿晶体管，最适合继电与电磁阀驱动，及线性稳压应用。

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• 晶体管与萧特基 (Schottky) 组合
• 匹配对
  使用单一晶圆的相邻晶粒制造：将直流 (DC) 电流增益、hFE、VCE(sat)、VBE(sat) 匹配最大 2% 的容差。

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• 二极管与整流器
• 二极管
• 整流器
• IGBTs
  Diodes range of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) use advanced Field Stop Trench IGBT Technology to offer rugged performance combined with super high-speed switching performance in industry standard packages.IGBTs combine the gate drive characteristics of MOSFETs with the high current and low saturation voltage capability of bipolar transistors. IGBTs are used in medium to high power applications such as UPS, motor drive, welders, solar inverters and induction cookers.Related Links …  MORE
• 保护装置
    Diodes 公司的保护装置，提供先进的效能与耐用的质量，协助客户一次就成功实现正确的系统设计。

  我们重视客户的需求，缩短交货期是我们的首要任务。

    Diodes 齐纳 TVS 产品组合的电压范围从最低 3.3V 到 440V，但仍可达成突波保护高额定值：最高达 3.0kW 或 326A。

  Diodes 的闸流体过压保护组件 (TSPD) 提供了雷击突波抑制功能，适用于建物内的防护 (符合 Bellcore GR-1089)…  MORE

• 齐纳 TVS
  Diodes 齐纳 TVS 产品组合的电压范围从最低 3.3V 到 440V。

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• 闸流体过压保护组件 (TSPD)
  Diodes 的闸流体过压保护组件 (TSPD) 提供了雷击突波抑制功能，适用于建物内的防护。

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• 数据传输线保护
  Diodes 公司的产品能应用于形形色色的不同领域，包括高速数据传输线保护。

  Diodes 拥有众多的数据传输线保护产品选项，提供单一、双重、四重、单向和双向等各种配置组合。

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• 功能数组
  Diodes 公司的功能数组系列为多晶粒、应用特定的简单标准产品，同时提供各种不同市场所需的解决方案，产品包括： 简单的单信道和多信道继电驱动器，采用      Diodes 公司自有的封装专业技术。

  简单的高电压稳压器，同时结合齐纳二极管或参考电压与      Diodes 的双极晶体管。

  简单的 LED 驱动器解决方案，提供高温时的内建      LED 电流降低功能。

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• 继电驱动器
• 分立组件 ─ 负载开关
• 分立组件 ─ 稳压器
• 分立组件 ─ LED 驱动器解决方案
• 分立组件 ─ 晶体管 + 二极管数组