DRAM是我们每天处理的存储之一。
也许每个人都不太熟悉DRAM的缩写。
翻译成中文，是动态随机存取存储器。
为了增进大家对DRAM的了解，本文将介绍DRAM的工作原理以及DRAM与NAND之间的区别。
如果您对DARM感兴趣，则不妨继续阅读。
下面通过比较DRAM和NAND的工作原理来阐明两者之间的区别：什么是DRAM？ DRAM（动态随机存取存储器），即动态随机存取存储器，是最常见的系统内存。
DRAM只能保留短时间的数据。
为了保留数据，DRAM使用电容器存储，因此必须每隔一定的时间刷新一次。
如果不刷新存储单元，则存储的信息将丢失。
（关闭时，数据将会丢失）动态RAM的工作原理动态RAM也是由许多基本存储单元组成的，这些存储单元根据行和列地址引脚进行多路复用。
图中显示了DRAM数据线3管动态RAM的基本存储电路。
在该电路中，读取选择线和写入选择线分离，并且读取数据线和写入数据线也分离。
在写操作期间，写选择线为“ 1”，因此Q1导通，并且要写的数据通过Q1被发送到Q2的栅极，并且该信息在该操作中保持一定的时间段。
栅极电容。
在读取操作期间，读取数据线上的分布电容CD通过公共预充电管Q4充电。
当读取选择线处于高电平有效时，Q3处于导通状态。
如果最初存储“ 1”，则Q2导通，并且读取的数据线的分布电容CD通过Q3和Q2放电。
此时读取的信息为“ 0”，与原始存储的信息正好相反。
如果原始存储的信息为“ 0”，则尽管Q3具有导通条件，但是由于Q2被关断，所以CD上的电压保持不变，因此读取的信息为“ 1”。
可以看出，对于这种存储电路，读取的信息与原始存储的信息完全相反，因此必须通过读出放大器将其反相，然后发送到数据总线。
什么是NAND？ NAND闪存是比硬盘驱动器更好的存储设备，在容量不超过4GB的低容量应用中非常明显。
随着人们继续追求功耗更低，重量更轻，性能更好的产品，NAND已被证明具有极大的吸引力。
NAND闪存是一种非易失性存储技术，也就是说，即使断电也可以保存数据。
其发展目标是降低每位存储成本并增加存储容量。
工作原理闪存结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的灵活性的优点。
EPROM表示可以通过特殊方式擦除内容，然后将其重写。
基本单元电路如下图所示。
经常使用浮栅雪崩注入MOS电路，简称为FAMOS。
它与MOS电路的相似之处在于，在N型衬底上生长了两个高浓度的P型区域，并且源极S和漏极D通过欧姆接触分别引出。
在源极和漏极之间的绝缘层中漂浮着一个多晶硅栅极，并且与周围环境没有直接的电连接。
这种电路表示浮栅是否已充电。
在浮动栅极被充电（例如，负电荷）之后，在浮动栅极的正下方，在源极和漏极之间会感应出一个正导电通道，因此，如果MOS管导通，则意味着将存储0。
如果浮栅没有被充电，则不能形成导电沟道，并且MOS管不导通，即，存储1。
EPROM基本单元结构EEPROM基本存储单元电路的工作原理如图所示。
与EPROM相似，它在EPROM基本单元电路的浮栅上生成浮栅。
前者称为第一级浮栅，后者称为第二级浮栅。
可以将电极引到第二级浮置栅极，使得第二级浮置栅极连接到特定电压VG。
如果VG是正电压，则在第一浮置栅极和漏极之间发生隧穿效应，从而电子被注入到第一浮置栅极中，即，被编程。
如果VG为负电压，则第一浮置栅极的电子被迫耗散，即擦除。
擦除后可以重写。
EEPROM单元结构闪存的基本单位电路与EEPROM相似，它也由双层浮栅MOS晶体管组成。
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